【jinnianhui.com科技消息】據jinnianhui.com了解，三星電子近日在業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上透露，其第五代高帶寬內存HBM3E改進(jìn)版已完成樣品供應，預計第二季度起銷(xiāo)售規模將逐步擴大。盡管一季度受尖端半導體出口管制影響，HBM銷(xiāo)售額觸及低點(diǎn)，但公司預計隨著(zhù)新產(chǎn)品放量，季度業(yè)績(jì)將呈現階梯式復蘇。
三星
三星電子存儲業(yè)務(wù)部副社長(cháng)表示，HBM3E改進(jìn)版已向主要客戶(hù)完成樣品交付，下半年將重點(diǎn)推進(jìn)第六代產(chǎn)品HBM4的量產(chǎn)工作，預計2025年實(shí)現規?；N(xiāo)售。值得注意的是，針對市場(chǎng)高度關(guān)注的定制化HBM，三星正基于HBM4及第七代HBM4E平臺，與多家客戶(hù)展開(kāi)合作洽談，部分定制項目或將于2026年與標準版HBM4同步上市。
三星HBM3E 12層產(chǎn)品
財報顯示，三星一季度存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收19.1萬(wàn)億韓元，環(huán)比下降17%，但同比增長(cháng)9%。盡管HBM銷(xiāo)售下滑拖累業(yè)績(jì)，但服務(wù)器用DRAM需求增長(cháng)及NAND采購回暖成為亮點(diǎn)。展望二季度，公司預計DRAM產(chǎn)品價(jià)格將迎來(lái)復蘇，移動(dòng)端、PC領(lǐng)域位元增長(cháng)率有望突破10%，NAND價(jià)格跌幅也將趨緩。
在代工業(yè)務(wù)方面，三星坦言受手機、PC市場(chǎng)持續疲軟影響，一季度產(chǎn)能利用率下降導致虧損擴大。但通過(guò)聚焦2納米、4納米高性能計算（HPC）及AI芯片訂單，先進(jìn)制程（5納米及以下）訂單量實(shí)現環(huán)比增長(cháng)。技術(shù)部門(mén)透露，2納米第一代工藝已完成可靠性評估，計劃二季度啟動(dòng)量產(chǎn)，同時(shí)加速推進(jìn)2納米第二代及3納米工藝優(yōu)化。
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